Levitra Kaufen Deutschland Sie können swb verwenden um Ihr Projekt zu

Potentielle Konturen, Oberflächenpotential und Elektronenstrom-Stromspuren

7.3. Grundanforderungen (reduziert)

Levitra Kaufen Deutschland

Bis auf den Halo-Doping-Teil wurden alle anderen Teile dieses Projekts schon einmal gemacht.

Wenn Sie die inspect-Programme ausführen, führen Sie in dem Terminal-Fenster, aus dem Sie inspizieren, Extrahierungsergebnisse wie Vth, SS, Ion, Ioff aus. Sie können Levitra Kaufen Deutschland
swb verwenden, um Ihr Projekt zu verwalten, aber das müssen Sie nicht. Es ist ein leistungsfähiges Werkzeug, erfordert aber auch zusätzlichen Aufwand

um neue Codes https://www.levitraerfahrungen.nu zu schreiben. Wenn es sich um eine Aufgabe handelt, die nicht sehr von dem Beispiel swb abweicht, das ich Ihnen gegeben habe, können Sie es versuchen.

Ich schlage vor, dass Sie nur die Nicht-SWB-Codes ändern, die Sie für die Hausaufgaben verwendet haben. Das wird unsere Grundvoraussetzung sein.

Verwenden Sie 65nm oder 90nm als nominale kurze Gatelänge, 180nm oder 250nm als https://www.levitraerfahrungen.nu mittlere Gatelänge und dann 1um Levitra Rezeptfrei In Deutschland Kaufen
oder 2um als Ihre lange Gatterlänge. Machen Sie 3 Ordner, einen für jede Gatelänge. Verwenden Sie Phumob, Enormal und aktivieren Sie die hohe Feldsättigung der Geschwindigkeit. 50 mV, 250 mV, 500 https://en.wikipedia.org/wiki/Vardenafil mV, 1,2 V. Sie können bei Bedarf weitere Vds-Werte verwenden.

Zeichnen Sie Id Vg sowohl auf linearen als auch auf logarithmischen Skalen aus. y cut gemacht bei etwa y = 1e 7, sind nützlich. Zum Beispiel können Sie Oberflächenpotentiale (bei allen simulierten, überlagerten Vg) bei Vd = Vdd für alle 3 Gate-Längen vergleichen, um zu erklären, warum SS bei Vd = Vdd in einem Transistor mit kurzer Gate-Länge größer ist.

Verwenden Sie die currentplot-Befehle, um das Punktpotential des mittleren Kanals, das laterale und vertikale Feld, eVelocity, eDensity usw. zu berechnen.

Der Unterschwellwert-Swing ist ein guter Parameter, den man beachten sollte, wenn man die Vds-Abhängigkeit von Id Vg untersucht.

Schau dir an, wie dein Vth (benutze Vd = 50mV), SS bei Vd = 50mV und Vd = Vdd, Ion und Ioff (Note für Ion und Levitra Wirkung
Ioff, Vg = Vdd und 0, Vd = Vdd) ändern sich mit Gatelänge.

(geändert zu optional) simuliere Id Vd. Enthalte Vg = 0V.

Levitra Kaufen Deutschland

Beobachten Sie die Steigung von Id Vd, insbesondere im Sättigungsbereich. Ergebnisse vergleichen

und erkläre den Unterschied.

Besprechen Sie, wie sich die Geschwindigkeitssättigung auf Ion, Ioff, Id Vd (insbesondere Idsat und Vdsat), SS, Vth auswirkt.

7.4. Explorer Weiter

Mit einigen Änderungen an den bereitgestellten Codes können Sie moderne CMOS-Transistor-Physik untersuchen. Zum Beispiel können Sie nachsehen